檢索結果：共15筆資料 檢索策略： "Chao-Chang Chen".eadvisor (精準) and ckeyword.raw="化學機械平坦化"
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在化學機械平坦化 (Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)的製程當中，鑽石修整製通常用來修整拋光墊表面形貌以及維持工作能力，以確保製程中的…
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本研究主要為結合超臨界微細發泡射出成形技術(Microcellular Injection Molding, MIM)與化學機械平坦化製程(Chemical Mechanical Planariza…
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本研究主要是將化學機械拋光(Chemical Mechanical Planarization Process,CMP)拋光墊(Pad)與晶圓接觸之拋光墊粗度峰(Asperity)的彈性變形，由聚氨…
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CMP(Chemical-Mechanical Planarization)為化學機械平坦化製程被應用於IC製造。在半導體線寬縮減的迫切需求下，穩定性和可用性於CMP製程已成為非常重要的課題。然而目…
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半導體製程中昂貴複雜及無可取代之製程-化學機械拋光/平坦化(Chemical Mechanical Plolishing/Planarization, CMP)，因具可有效地解決銅導線化及特徵尺寸進…
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本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統，透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上，利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描，利用自製軟體分析其表面訊號，計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
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化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/Polishing, CMP)製程在半導體製程中對於積體電路的製造品質有著舉足輕重的影響，將鑽石修整技術應用…
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化學機械平坦化/拋光（CMP）製程已被廣泛用於製造積體電路（IC)。為了使製造IC的成本降低，晶圓的尺寸越來越大，CMP製程就需要使用夠大的拋光墊。較大的拋光墊尺寸會導致在CMP製程中，拋光墊表面形…
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隨著科技日新月異地進步，從今日的12吋晶圓至未來即將進入的新世代18吋晶圓，半導體產品已成為人類的生活不可或缺之必需品，並隨著曝光微影的線寬持續降低，化學機械平坦化已成為半導體製程中關鍵的技術。而製…
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自遠古時期的銅鏡、玉石、珠寶的研磨拋光到目前次奈米等級的半導體晶圓鏡面拋光，機械式拋光有其一定程度之極限，因此化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)是目…